半导体材料检测项目及方法

半导体材料检测项目
半导体材料检测的常见性能参数主要为电学性能、光学性能、限用物质等的检测。电学性能主要检测电阻率、霍尔系数、磁阻等性能；光学性能主要检测器光电导、光吸收等性能。而半导体材料的关键性能检测指标主要为禁带宽度、电阻率、载流子迁移率（载流子即半导体中参加导电的电子和空穴）、非平衡载流子寿命、位错密度等。除此之外，我们还可以检测其杂质含量、杂质缺陷能级等来了解材料的纯度、补偿度。通过x射线、金相分析来了解半导体材料晶体结构的层错、位错密度、夹杂和李晶等情况。

半导体材料检测方法
目前半导体材料检测分析的重点逐渐转向对半导体薄膜，特别是薄膜的表面、异质结界面性质研究和对薄膜材料的组甜和结构分析。新型测试分析方法如结电容技术，激光光谱技术，俄歇电子能谱、二次离子质谱和电子显微分析技术等的建立与不断完善，为深入研究杂质和缺陷在半导体材料中的行为、杂质与缺陷相互作用、表面、界面质量、混晶组份以及结梅缺陷等提供了有力手段，促进了半导体材料及物理学的发展。

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